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高速率低延时Viterbi译码器的设计与实现

  交换模式,效果是延时与资源消耗一般只能二取其一,互为矛盾。采取3~6长度的RE-寄存器交换,混合回溯模式,极大地减少了回溯时间,并减少了路径存储空间需求,付出的代价是每ACS增加2~5 LUT;再结合其他Viterbi译码器优化算法,如分支度量一次计算,每ACS查找——即4选1等措施,实现了高吞吐量(340 Mb/s)、低延时、低资源消耗的全并行Viterbi译码器。

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  Viterbi译码是1967年由VITERBI A J提出的一种概率译码算法,且是最大似然译码法。后来发现,这种算法可用于多种数字估值问题,如码间干扰下的判决、连续相位FSK信号的最佳接收、语词识别、序列跟踪和源编码等。Viterbi算法的这些应用都可以归结为时间离散、状态有限的马氏过程的最佳估值问题,因而它不仅是卷积码的一种重要译码算法,而且在理论上也有较大意义。

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  由于卷积码优良的纠错性能和Viterbi硬件译码器简单(容易实现高速译码),被广泛应用于深空通信、卫星通信、IEEE 802.11、超宽带(UWB)系统、DAB、DVB、2G、3G、LTE、Wimax以及电力线年以来,国际上发表了很多关于Viterbi译码器设计的文章,如文献[1]~[6]。为追求译码速度,大多采用全并行结构,吞吐量可高达1.74 Gb/s[3]、2.8 Gb/s[4],同时目前各大

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  厂商都已经提供了很多的IP核[7]。由于内部互连机制不同,基于FPGA的译码器与结构化 内容来自dedecms

  以及定制ASIC的工作速度不可同日而语,在FPGA上实现的译码器工作频率一般在140~510 MHz[6,7]之间,同样的设计结构若采取定制ASIC实现,应能达到与文献[3-4]相近的工作频率(800 MHz~1.4 GHz)。从工程应用角度看,对Viterbi 译码器的性能评价指标主要有译码速度、处理时延和资源占用等。传统的Viterbi译码器结构难以兼具资源消耗少和时延小的优点。而在高速通信系统中,很多时候对译码时延要求很高。本文提出了一种采用部分寄存器交换的办法可兼顾译码延时和消耗逻辑资源的性能。

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  结果表明,采用这种部分寄存器交换的回溯方式存储幸存路径,具有寄存器交换时延小的优点,而所需逻辑资源与普通回溯法相当,所需存储单元大大小于普通回溯法。1 部分寄存器交换方式的路径存储 织梦好,好织梦

  的结构主要有两种:一种是寄存器交换结构(RE),另一种是回溯结构(TB)[1-2]。前者采用专用寄存器作为存储主体,存储的是路径上的输入信号信息,利用数据在寄存器阵列中的不断交换来实现译码。这种方法虽然具有存储单元少、译码延时短的优点,但由于其内连关系过于复杂, 功耗大(每个新判决比特输入时寄存器都要翻转),不适合大状态Viterbi译码器的FPGA实现。

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  作为存储主体,存储的是幸存路径的格状连接关系,通过读写RAM来完成数据的写入和回溯输出。其优点是内连关系简单、规则;缺点一是译码延时大——一般并行译码时回溯法的延时是寄存器交换法的4倍,缺点二是存储单元要求多。具体性能区别分析如下。设卷积码编码约束长度为L,译码深度V=6×L;对码率R=1/2的译码器而言,每系统 dedecms.com

  输入2 bit编码传输信息,输出1 bit译码后信息。对于基2加比选的全并行RE方式:路径存储部分需 本文来自织梦

  存交换2L-1个状态的长V路径信息,即需V×2L-1个逻辑单元和寄存器,译码时延为V个系统时钟。对于全并行的传统TB方式,因每译出1 bit,至少回溯V bit,为实现连续译码,一次回溯应译出多个比特,设为x。则从译码输入到准备回溯需等待V+x个系统时钟,若每系统时钟只回溯y=1 bit,则一次译码输出需回溯V+x个系统时钟。采取多片轮读(一片写,2至多片读)的模式,在回溯期间又写入V+x个符号的路径信息。

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  流水线)x系统时钟内至少完成n次回溯译码x bit。2片读时,2x时钟内需完成(V+x)符号的回溯,因而一般取x=V。 织梦内容管理系统

  这样,2x时钟内读的2片RAM深度分别为2V,宽度2L-1个状态的1 bit路径信息,共计4V深度(按之前4V系统时钟内写入顺序

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  为1a、1b,之后启动写2a、2b的深度为2V的2片RAM),写入2V深度之后启动回溯读出1b、1a;V深度后另一片读出2a、1b,这样回溯出1a、1b处的传输信息,同时写入2b、1a路径。在这段时间内又写入2V深度的路径信息(1a,1b),与2片读的RAM中的前一片2V深度RAM读出信息(1b,1a)交叉。当路径存储RAM采用一读一写的双端口RAM实现时,2片RAM即可实现1片写,2片读的写入及回溯功能。 copyright dedecms

  所以,总存储单元应为深度为4V个符号的宽度2L-1个状态路径信息,即4V×2L-1 bit存储单元,实际深度取满足(M=2N> 内容来自dedecms

  4V)的最小正整数N对应的M。 dedecms.com

  译码延时:从译码器开始接收到准备回溯需2V个时钟,回溯(V+x)即2V深度需2V个系统时钟,共计4V个系统时钟。 内容来自dedecms

  从上述传统TB方式可以看出,为减小译码延时和存储单元,可采取一次并行读出多比特符号的路径信息。本文提出采用部分寄存器交换方法,累积多符号(2~6)的路径信息后,一次存储写入一个地址的存储单元,从而加快之后的读过程。

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  设部分RE的长度为y。采取1片存储单元1读1写方式,每次回溯译出x比特,则回溯延时为t=(V+x)/y;在此回溯期间又写入t比特路径信息,为保证路径信息存储单元不发生有用信息覆盖,要求t≤x,即x≥(V+x)/y,也即x≥V/(y-1)。一般x取满足条件的最小整数值。 内容来自dedecms

  译码延时为等待时间加回溯时间。对每段译码信息而言从开始接收到回溯前的等待时间为:V+x比特的译码信息接收时间V+x个系统时钟。译码延时共计V+x+t≈V+2x。

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  另外,回溯时要多消耗y个2L-1选一的逻辑资源,即y×2L-1的组合LUT;由于采用部分寄存器交换,需要2L-1个长为y的寄存器锁存当前路径信息。 内容来自dedecms

  采用了文献[5]中提到的分支度量线 bit量化解调信号时,分支度量仍为3 bit的非负数,简化了之后的路径度量溢出处理。

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  简单的累积路径度量溢出,对于(2,1,7)3 bit量化卷积码,路径度量的最大最小范围在3+log27位内。因所有路径度量及分支度量都是非负数,这样再补充一位最高位溢出位,确定了存储路径度量的寄存器位宽为3+log27+17。 dedecms.com

  由于采用全并行结构,一个时钟内必须完成一次ACS(Add-Compare-Select,加比选),因而ACS部分未采用文献[7]中流水线结构,ACS是制约全并行结构Viterbi译码器最高工作频率的因素之一。但采取了缓解分支度量选择的时延,两级计算锁存的分支度量算法,较一级分支度量锁存提高了约10 MHz的最高工作频率。

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  9.1下时序仿真正确后,综合适配结果如表1~表4所述,其中:V=6×L,量化比特数为3。

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  下3 bit量化定点仿线 bit量化前仿线段(信噪比小于等于4.4 dB时)或100段(信噪比大于4.4 dB时)长度为40 000的已编码序列经信噪比(SNR=Eb/no)为3~5.4 dB(仅在MATLAB下,而在Modelsim下每种卷积码仅选择译码BER=10-3及10-4两种情况)的AGWN BPSK信道传输的接收信号进行模拟,误码性能如图2所示。后仿线种卷积码分别选取了5.2 dB、4.8 dB、4.0 dB、3.4 dB下长度为40 000的有噪已编码接收序列进行误码性能测试,与图2完全一致。

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  当吞吐量定义为译码器输出信息速率时(而文献[5]中吞吐量定义为译码器输入速率,与量化比特无关),对于本文中的基2全并行码率R=1/2的Viterbi译码器,吞吐量为2fmax。即在CycloneIII上实现的(2,1,7)全并行译码器吞吐量在290~350 Mb/s之间。

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  若采用定制ASIC实现,吞吐量应可满足引言中提到的目前各种使用Viterbi译码的标准(500 Mb/s)的需求。 织梦内容管理系统

  与其他文献的(2,1,3)全并行译码器性能对比(EP3-C10F256C6)如表5所示。 内容来自dedecms

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  由表中数据可以看出,本文设计的(2,1,3)卷积码全并行译码器明显优于

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  公司提供的IP核,逻辑资源占用量仅其25%,译码时延也仅其25%。与其他文献的(2,1,7)全并行译码器性能对比如表6所示。

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  本文采用部分寄存器交换的译码器在交换长度为3时与简单回溯模式相比消耗逻辑资源几乎相近,存储单元减少25%~66%的条件下实现译码延时减半的效果。 本文来自织梦

  对于短约束长度的卷积码,如(2,1,3)、(2,1,5)采用全寄存器交换资源消耗不会增加太多,但译码延时比交换长度为3时又减少50%,更具实用价值。 织梦内容管理系统

  而对于长约束长度的卷积码,如(2,1,7)、(2,1,9)采用全寄存器交换资源消耗增加太多,选用寄存器交换长度为4或6时较合适,此时的时延与完全寄存器交换相近,但消耗的逻辑资源与简单回溯模式相当,存储器单元比简单回溯小很多(小50%或62.5%),虽然在本文中的FPGA下实现时消耗的存储块数更多,但那是由于CycloneIII的每块存储块比较大(深度大而宽度受限),若采用最小深度为16的小存储块时(比如定制ASIC技术)其优势将明显显现出来。 本文来自织梦

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  SN74ABT16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

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  ABT16373A是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16373A的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16373A的特点是在-40C至85C的温度范围内工作。 ...

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  SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40C至85C。 特性 德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM(... 织梦内容管理系统

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  CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。 特性 Ioff支持部分省电模式操作 边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性 典型的输出偏斜250 ps esd> 2000v tssop(19.6密耳间距)和ssop(25密耳间距)封装 工业温度范围-40c至+ 85c vcc= 5v10% cy74fct16374t特点: ...

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  SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。

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  SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器 copyright dedecms

  这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V 24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入... dedecms.com

  SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

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  这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ... 织梦内容管理系统

  SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

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  这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C 典型VOHV(输出V dedecms.com

  OH Undershoot) > 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25C Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压) copyright dedecms

  数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 dedecms.com

  2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 参数 与其它产品相比D 类锁存器 Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ... 本文来自织梦

  SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

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  SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

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  SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线位总线态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置... 织梦内容管理系统

  SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器 织梦内容管理系统

  ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...

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  SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

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  这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据... 内容来自dedecms

  SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线位总线 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...

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  SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

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  ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV

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  CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p 内容来自dedecms

  当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55C至125C的整个军用温度...

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  SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

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  SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器 本文来自织梦

  SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus系列的成员 EPIC(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装 dedecms.com

  薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比D 类锁存器 ... 本文来自织梦


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